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NTHD4508N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q G
10
300
200
C RSS
4
3
7.5
2
Q GS
Q GD
5.0
100
C OSS
1
2.5
0
0
I D = 3.1 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
0.5
1 1.5 2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
2.5
3
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
7
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 16 V
I D = 2.3 A
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
5
4
10
t d(off)
1
t r
t d(on)
t f
3
2
1
0
1
10
100
0.3
0.45
0.6
0.75
0.9
1.05
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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